金属ターゲットスパッタリングの基礎
ターゲットとしては、スパッタリング コーティングに電子または高エネルギー レーザー照射を利用するだけです。 最後に、表面成分は原子団やイオンとしてスパッタリングされ、成膜プロセスを経て薄膜が形成された後、基板表面に堆積します。
スパッタリングコーティングには幅広い種類があります。 これらは通常、蒸着コーティングです。スパッタリング速度は重要なパラメータの 1 つであり、これが違いです。スパッタリング コーティングにおけるレーザー スパッタリング コーティング PLD は、組成を均一に保つのが簡単ですが、原子スケールでの厚さの均一性は比較的劣ります (パルススパッタリングです）、結晶方位（外縁）成長の制御は比較的一般的です。
一例として、pld では、基板とターゲット材料の格子整合度、成膜環境 (低圧ガス雰囲気)、基板温度、レーザー出力、パルス周波数、スパッタリング時間などが重要なパラメータとなります。 。 さまざまな基板やスパッタリング材料に最適なパラメータが必要です。 実験によると、それらは異なります。 コーティング装置の温度を正確に管理し、良好な真空を確保し、清潔な真空チャンバーを維持する能力が、その品質を決定する 3 つの重要な要素です。
