ターゲット材料には、幅広い用途、広範な市場開発枠、および多数の分野にわたる優れた用途があります。ターゲットの周囲のアルゴンガスのイオン化を加速し、ターゲットとアルゴンイオンが衝突する可能性を高めるために、ほぼすべての材料が使用されます。最新のスパッタリング装置は、強力な磁石を使用して電子をらせん状に動かします。
失速率を高める。非導電性セラミック材料では通常、RF AC スパッタリングが使用されますが、金属層では通常、DC スパッタリングが使用されます。 基本的なアイデアは、真空中でのグロー放電を使用してアルゴン (Ar) イオンをターゲットに衝突させることです。 プラズマの陽イオンは、負極の表面で加速するときに物質を吐き出します。 ターゲット材料は接触すると飛び出し、基板上に堆積して薄膜を形成します。
一般に、スパッタリング法による成膜には次のような特徴があります。
(1) 膜状物質は金属、合金、絶縁体から作成できます。
(2) 適切な状況があれば、複数の複雑なターゲットを使用して、同じ組成の薄膜を作成できます。
(3) 放電雰囲気に酸素などの活性ガスを導入することで、ターゲット物質とガス分子を混合または複合化することができます。
(4) 目標投入電流とスパッタ時間の制御により、高精度の膜厚が容易に得られます。
(5) 他の方法に比べて大面積の均一な膜の作製に適しています。
(6) ターゲットと基板の位置を自由に配置でき、スパッタリング粒子は重力の影響をほとんど受けません。
